f 프로젝트 시작

f Project는 1975 년에 방법을위한 파일럿 플랜트를 구축 한 다음 외부 판매에 대한 인식을 가진 시연장을 구축했습니다. 소금 전기 분해에 사용 된 이온 교환 막은 양극 측에서 나트륨 이온을 캐소드쪽으로 전기 전달하는 기능을 갖지만, 당시 주요 과제 중 하나는 막 내에 고정 된 이온 교환 기 (그 당시에는 모두)의 성능이었다. 1980 년에, 생산 기술 연구소 인 나카하라 아키히코 (Nakahara Akihiko)에 의해 카르 복실 산으로 고안된 이온 교환 막의 음극 표면의 설 폰산을 화학적으로 변형시키기 위해 식물이 완성되었다. 이 막은 생산할 수있는 20% 가성 소다 농도의 한계를 가졌지 만, 당시 세계에서 가장 진보 된 고성능 막이었으며 나중에 주요 화학 제조업체에 의해 채택되었습니다. 이 멤브레인을 통해 우리는 성과 경쟁에 대한 자신감을 얻었고 기술을 외부에서 판매하기로 결정하고 조직을 슬롯머신에서 엔지니어링 2 부로 변경했습니다. 이 공장이 완료된 후, 나는 노동 조합으로 옮겨져 두 번째 엔지니어링 부서를 떠나 약간 꺼려했습니다.

회원의 열정과 행운

2 전기 장치에 대한 측정 값을 구현할 때, 우리는 제로 갭 문제를 해결하는 것이 가장 중요한 일이라고 결정했으며 모든 에너지를 넣었습니다. 그는 문제를 이해하려고 노력하고 해결책을 제시했으며 단계적으로 문제의 효과를 논의했습니다. 일이 잘 진행되지는 않았지만 거의 포기했지만 거의 포기했지만 아마도 회원들이 열정 이었기 때문에 나는 약간의 재산으로 축복을 받았습니다.

첫 번째 행운은 실제 크기 5 단위의 실험 장비가 2 전기 장치 옆에 설치되었다는 것입니다. 이 장비 덕분에 우리는 실험을 자유롭게 수행하고 실제 기계에서 사용할 수있었습니다. Aoki는 주도권을 잡고 정량적 데이터를 철저히 파악했으며 모든 사람들이 조치를 확인했습니다. 또한, 제로 갭을 실현하기위한 가장 중요한 과제는 전극과 필름 사이의 접착력을 유지할 수있는 스프링 재료를 슬롯머신하는 것이 었습니다. 작은 힘으로 크게 변형 될 수 있고 회복력이있는 스프링 재료는 부식 환경을 견딜 수있는 유일한 재료 인 니켈로 만들어야합니다. Nippon Mesh Industries, Ltd.의 ASAO 후기 이사가이를 수행했습니다. Okamura와 나는 Nara의 공장을 여러 번 방문하여 봄 재료를 짜고 물질을 짜는 새로운 방법을 제안했으며 Asao 감독은 공장 관리자에게 제안에 따라이를 만들도록 요청했습니다. Nippon Mesh Industries의 완전한 백업 덕분에 우리는 만족스러운 스프링 재료를 만드는 데 성공했습니다. 이것은 내가 얻은 나의 두 번째 행운이었습니다. 당시 기술 연구소의 Yamashita Hiroya가 슬롯머신 한 다른 니켈 틴 합금금 도금 캐소드는 실용적으로 사용되었으며, Moriwaki Toru는 작은 전해 세포의 결함을 성공적으로 풀어서 절묘한 타이밍에 좋은 행운을 가져 왔습니다.